技術(shù)知識(shí)

在當(dāng)下電氣行業(yè)中，只要是固態(tài)軟啟動(dòng)設(shè)備，主回路基本上采用的都是晶閘管，然后通過(guò)逐漸改動(dòng)晶閘管的導(dǎo)通角來(lái)抬升電壓，完成對(duì)電機(jī)的結(jié)束和發(fā)起進(jìn)程。

為了滿(mǎn)足不同行業(yè)的電機(jī)需求，固態(tài)軟啟動(dòng)設(shè)備又分低壓和高壓。

它們的基本原理差不多，不同的是高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜在高壓環(huán)境下工作，各種電氣元器件的絕緣功用一定要好，電子芯片的抗煩擾才干要強(qiáng)。

另外高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜中必要有一個(gè)高性能的主控單元，以滿(mǎn)足對(duì)信號(hào)的及時(shí)和迅速處理，因此這個(gè)主控單元一般選用高性能的DSP芯片。

在高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜中，由于如今單只高壓晶閘管的耐壓強(qiáng)度不高,所以有必要由多個(gè)高壓晶閘管串聯(lián)進(jìn)行分壓(如下圖)。

高壓固態(tài)軟起動(dòng)裝置檢測(cè)到外部起動(dòng)命令時(shí)，由微處理器檢測(cè)到同步信號(hào)后，對(duì)主回路可控硅相位角觸發(fā)進(jìn)行控制，逐漸增加電機(jī)端的電流和電壓，從而平滑起動(dòng)電機(jī)。在此過(guò)程中，RC濾波阻容吸收單元吸收可控硅反向關(guān)斷時(shí)的尖峰電壓；均壓電阻擎制可控硅電壓，保證串聯(lián)回路中每只可控硅電壓相等。光纖觸發(fā)保證了控制器與高壓可控硅之間的電氣隔離，同時(shí)保證了觸發(fā)信號(hào)不受電磁干擾。

注：在選配晶閘管上，有必要保證每一相的晶閘管參數(shù)盡可能的一致，并且每一相晶閘管的RC濾波電路的元件參數(shù)盡可能一致。因?yàn)榫чl管的功率參數(shù)不一致，會(huì)致使晶閘管啟停時(shí)間不一致，造成個(gè)別相晶閘管超額，然后致使晶閘管的損壞。